നിലവിൽ, ഞങ്ങളുടെ കമ്പനിക്ക് 8inchN തരത്തിലുള്ള SiC വേഫറുകളുടെ ചെറിയ ബാച്ച് വിതരണം ചെയ്യുന്നത് തുടരാം, നിങ്ങൾക്ക് സാമ്പിൾ ആവശ്യമുണ്ടെങ്കിൽ, ദയവായി എന്നെ ബന്ധപ്പെടാൻ മടിക്കേണ്ടതില്ല.ഞങ്ങളുടെ പക്കൽ ചില സാമ്പിൾ വേഫറുകൾ ഷിപ്പ് ചെയ്യാൻ തയ്യാറാണ്.
അർദ്ധചാലക സാമഗ്രികളുടെ മേഖലയിൽ, വലിയ വലിപ്പമുള്ള SiC പരലുകളുടെ ഗവേഷണത്തിലും വികസനത്തിലും കമ്പനി ഒരു വലിയ മുന്നേറ്റം നടത്തി.ഒന്നിലധികം റൗണ്ട് വ്യാസം വർദ്ധിപ്പിച്ചതിന് ശേഷം സ്വന്തം വിത്ത് പരലുകൾ ഉപയോഗിച്ച്, കമ്പനി 8 ഇഞ്ച് N-തരം SiC പരലുകൾ വിജയകരമായി വളർത്തി, ഇത് വളർച്ചാ പ്രക്രിയയിലെ അസമമായ താപനില, ക്രിസ്റ്റൽ ക്രാക്കിംഗ്, ഗ്യാസ് ഘട്ടം അസംസ്കൃത വസ്തുക്കളുടെ വിതരണം തുടങ്ങിയ ബുദ്ധിമുട്ടുള്ള പ്രശ്നങ്ങൾ പരിഹരിക്കുന്നു. 8 ഇഞ്ച് SIC പരലുകൾ, വലിയ വലിപ്പമുള്ള SIC പരലുകൾ എന്നിവയുടെ വളർച്ചയും സ്വയംഭരണവും നിയന്ത്രിക്കാവുന്നതുമായ പ്രോസസ്സിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യയും ത്വരിതപ്പെടുത്തുന്നു.SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വ്യവസായത്തിൽ കമ്പനിയുടെ പ്രധാന മത്സരശേഷി വളരെയധികം വർദ്ധിപ്പിക്കുക.അതേസമയം, വലിയ വലിപ്പത്തിലുള്ള സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തയ്യാറാക്കൽ പരീക്ഷണ ലൈനിൻ്റെ സാങ്കേതികവിദ്യയും പ്രക്രിയയും കമ്പനി സജീവമായി പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നു, അപ്‌സ്ട്രീം, ഡൗൺസ്ട്രീം മേഖലകളിലെ സാങ്കേതിക വിനിമയവും വ്യാവസായിക സഹകരണവും ശക്തിപ്പെടുത്തുന്നു, ഉൽപ്പന്ന പ്രകടനം നിരന്തരം ആവർത്തിക്കുന്നതിന് ഉപഭോക്താക്കളുമായി സഹകരിക്കുന്നു. സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വസ്തുക്കളുടെ വ്യാവസായിക പ്രയോഗത്തിൻ്റെ വേഗത പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നു.
| 8 ഇഞ്ച് N-ടൈപ്പ് SiC DSP സവിശേഷതകൾ | |||||
| നമ്പർ | ഇനം | യൂണിറ്റ് | ഉത്പാദനം | ഗവേഷണം | ഡമ്മി |
| 1. പരാമീറ്ററുകൾ | |||||
| 1.1 | പോളിടൈപ്പ് | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ഉപരിതല ഓറിയൻ്റേഷൻ | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. ഇലക്ട്രിക്കൽ പാരാമീറ്റർ | |||||
| 2.1 | ഡോപൻ്റ് | -- | n-തരം നൈട്രജൻ | n-തരം നൈട്രജൻ | n-തരം നൈട്രജൻ |
| 2.2 | പ്രതിരോധശേഷി | ഓം · സെ.മീ | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. മെക്കാനിക്കൽ പാരാമീറ്റർ | |||||
| 3.1 | വ്യാസം | mm | 200± 0.2 | 200± 0.2 | 200± 0.2 |
| 3.2 | കനം | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | നോച്ച് ഓറിയൻ്റേഷൻ | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | നോച്ച് ഡെപ്ത് | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | എൽ.ടി.വി | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | ടി.ടി.വി | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | വില്ല് | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | വാർപ്പ് | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | എഎഫ്എം | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. ഘടന | |||||
| 4.1 | മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | ലോഹ ഉള്ളടക്കം | ആറ്റങ്ങൾ/സെ.മീ2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ടി.എസ്.ഡി | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | ബിപിഡി | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. പോസിറ്റീവ് നിലവാരം | |||||
| 5.1 | മുന്നിൽ | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | ഉപരിതല ഫിനിഷ് | -- | സി-ഫേസ് സിഎംപി | സി-ഫേസ് സിഎംപി | സി-ഫേസ് സിഎംപി |
| 5.3 | കണം | ഇഎ/വേഫർ | ≤100(വലിപ്പം≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | സ്ക്രാച്ച് | ഇഎ/വേഫർ | ≤5, ആകെ നീളം≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | എഡ്ജ് ചിപ്‌സ്/ഇൻഡൻ്റുകൾ/വിള്ളലുകൾ/പാടുകൾ/മലിനീകരണം | -- | ഒന്നുമില്ല | ഒന്നുമില്ല | NA |
| 5.6 | പോളിടൈപ്പ് ഏരിയകൾ | -- | ഒന്നുമില്ല | ഏരിയ ≤10% | ഏരിയ ≤30% |
| 5.7 | ഫ്രണ്ട് അടയാളപ്പെടുത്തൽ | -- | ഒന്നുമില്ല | ഒന്നുമില്ല | ഒന്നുമില്ല |
| 6. ബാക്ക് നിലവാരം | |||||
| 6.1 | ബാക്ക് ഫിനിഷ് | -- | സി-ഫേസ് എം.പി | സി-ഫേസ് എം.പി | സി-ഫേസ് എം.പി |
| 6.2 | സ്ക്രാച്ച് | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | പിന്നിലെ വൈകല്യങ്ങളുടെ അറ്റം ചിപ്പുകൾ/ഇൻഡൻ്റുകൾ | -- | ഒന്നുമില്ല | ഒന്നുമില്ല | NA |
| 6.4 | പുറം പരുക്കൻ | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | പിന്നിലേക്ക് അടയാളപ്പെടുത്തൽ | -- | നോച്ച് | നോച്ച് | നോച്ച് |
| 7. എഡ്ജ് | |||||
| 7.1 | എഡ്ജ് | -- | ചാംഫർ | ചാംഫർ | ചാംഫർ |
| 8. പാക്കേജ് | |||||
| 8.1 | പാക്കേജിംഗ് | -- | വാക്വം ഉപയോഗിച്ച് എപ്പി-റെഡി പാക്കേജിംഗ് | വാക്വം ഉപയോഗിച്ച് എപ്പി-റെഡി പാക്കേജിംഗ് | വാക്വം ഉപയോഗിച്ച് എപ്പി-റെഡി പാക്കേജിംഗ് |
| 8.2 | പാക്കേജിംഗ് | -- | മൾട്ടി-വേഫർ കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ് | മൾട്ടി-വേഫർ കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ് | മൾട്ടി-വേഫർ കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ് |
പോസ്റ്റ് സമയം: ഏപ്രിൽ-18-2023