8 ഇഞ്ച് SiC നോട്ടീസിന്റെ ദീർഘകാല സ്ഥിരമായ വിതരണം.

നിലവിൽ, ഞങ്ങളുടെ കമ്പനിക്ക് 8 ഇഞ്ച്N തരം SiC വേഫറുകളുടെ ചെറിയ ബാച്ച് വിതരണം തുടരാം, നിങ്ങൾക്ക് സാമ്പിൾ ആവശ്യമുണ്ടെങ്കിൽ, ദയവായി എന്നെ ബന്ധപ്പെടാൻ മടിക്കേണ്ടതില്ല. ഞങ്ങളുടെ പക്കൽ ചില സാമ്പിൾ വേഫറുകൾ ഷിപ്പ് ചെയ്യാൻ തയ്യാറാണ്.

8 ഇഞ്ച് SiC നോട്ടീസിന്റെ ദീർഘകാല സ്ഥിരമായ വിതരണം.
8 ഇഞ്ച് SiC നോട്ടീസ് 1 ന്റെ ദീർഘകാല സ്ഥിരമായ വിതരണം

സെമികണ്ടക്ടർ വസ്തുക്കളുടെ മേഖലയിൽ, വലിയ വലിപ്പത്തിലുള്ള SiC പരലുകളുടെ ഗവേഷണത്തിലും വികസനത്തിലും കമ്പനി ഒരു പ്രധാന മുന്നേറ്റം നടത്തിയിട്ടുണ്ട്. ഒന്നിലധികം റൗണ്ട് വ്യാസം വലുതാക്കിയതിന് ശേഷം സ്വന്തം വിത്ത് പരലുകൾ ഉപയോഗിച്ച്, 8 ഇഞ്ച് N-ടൈപ്പ് SiC പരലുകൾ കമ്പനി വിജയകരമായി വളർത്തിയിട്ടുണ്ട്, ഇത് 8 ഇഞ്ച് SIC പരലുകളുടെ വളർച്ചാ പ്രക്രിയയിൽ അസമമായ താപനില ഫീൽഡ്, ക്രിസ്റ്റൽ ക്രാക്കിംഗ്, ഗ്യാസ് ഫേസ് അസംസ്കൃത വസ്തുക്കളുടെ വിതരണം തുടങ്ങിയ ബുദ്ധിമുട്ടുള്ള പ്രശ്നങ്ങൾ പരിഹരിക്കുന്നു, കൂടാതെ വലിയ വലിപ്പത്തിലുള്ള SIC പരലുകളുടെയും സ്വയംഭരണപരവും നിയന്ത്രിക്കാവുന്നതുമായ പ്രോസസ്സിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യയുടെയും വളർച്ചയെ ത്വരിതപ്പെടുത്തുന്നു. SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വ്യവസായത്തിൽ കമ്പനിയുടെ പ്രധാന മത്സരശേഷി വളരെയധികം വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു. അതേസമയം, വലിയ വലിപ്പത്തിലുള്ള സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തയ്യാറാക്കൽ പരീക്ഷണാത്മക ലൈനിന്റെ സാങ്കേതികവിദ്യയുടെയും പ്രക്രിയയുടെയും ശേഖരണത്തെ കമ്പനി സജീവമായി പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നു, അപ്‌സ്ട്രീം, ഡൗൺസ്ട്രീം മേഖലകളിലെ സാങ്കേതിക വിനിമയവും വ്യാവസായിക സഹകരണവും ശക്തിപ്പെടുത്തുന്നു, കൂടാതെ ഉൽപ്പന്ന പ്രകടനം നിരന്തരം ആവർത്തിക്കുന്നതിന് ഉപഭോക്താക്കളുമായി സഹകരിക്കുന്നു, കൂടാതെ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വസ്തുക്കളുടെ വ്യാവസായിക പ്രയോഗത്തിന്റെ വേഗത സംയുക്തമായി പ്രോത്സാഹിപ്പിക്കുന്നു.

8 ഇഞ്ച് N-ടൈപ്പ് SiC DSP സ്പെസിഫിക്കേഷനുകൾ

നമ്പർ ഇനം യൂണിറ്റ് ഉത്പാദനം ഗവേഷണം ഡമ്മി
1. പാരാമീറ്ററുകൾ
1.1 വർഗ്ഗീകരണം പോളിടൈപ്പ് -- 4H 4H 4H
1.2 വർഗ്ഗീകരണം ഉപരിതല ഓറിയന്റേഷൻ ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2. ഇലക്ട്രിക്കൽ പാരാമീറ്റർ
2.1 ഡെവലപ്പർ ഡോപന്റ് -- n-തരം നൈട്രജൻ n-തരം നൈട്രജൻ n-തരം നൈട്രജൻ
2.2.2 വർഗ്ഗീകരണം പ്രതിരോധശേഷി ഓം ·സെ.മീ 0.015~0.025 0.01~0.03 NA
3. മെക്കാനിക്കൽ പാരാമീറ്റർ
3.1. 3.1. വ്യാസം mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2.2 3 കനം μm 500±25 500±25 500±25
3.3. നോച്ച് ഓറിയന്റേഷൻ ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 अंगिर प्रकिति � നോച്ച് ഡെപ്ത് mm 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5
3.5 3.5 എൽടിവി μm ≤5(10മിമി*10മിമി) ≤5(10മിമി*10മിമി) ≤10(10 മിമി*10 മിമി)
3.6. 3.6. ടിടിവി μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7. 3.7. വില്ല് μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 अंगिर समान വാർപ്പ് μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9. उप्रकालिक समा എ.എഫ്.എം. nm റാ≤0.2 റാ≤0.2 റാ≤0.2
4. ഘടന
4.1 വർഗ്ഗീകരണം മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത ഇഎ/സെ.മീ2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 വർഗ്ഗീകരണം ലോഹ ഉള്ളടക്കം ആറ്റങ്ങൾ/സെ.മീ2 ≤1E1 ≤1E1 NA
4.3 വർഗ്ഗീകരണം ടി.എസ്.ഡി. ഇഎ/സെ.മീ2 ≤500 ഡോളർ ≤1000 ഡോളർ NA
4.4 വർഗ്ഗം ബിപിഡി ഇഎ/സെ.മീ2 ≤2000 ഡോളർ ≤5000 ഡോളർ NA
4.5 प्रकाली प्रकाल� ടെഡ് ഇഎ/സെ.മീ2 ≤7000 ഡോളർ ≤10000 ≤10000 NA
5. പോസിറ്റീവ് നിലവാരം
5.1 अंगिर समान മുൻവശം -- Si Si Si
5.2 अनुक्षित ഉപരിതല ഫിനിഷ് -- സൈ-ഫേസ് സിഎംപി സൈ-ഫേസ് സിഎംപി സൈ-ഫേസ് സിഎംപി
5.3 വർഗ്ഗീകരണം കണിക ഇഎ/വേഫർ ≤100(വലുപ്പം≥0.3μm) NA NA
5.4 വർഗ്ഗീകരണം സ്ക്രാച്ച് ഇഎ/വേഫർ ≤5, ആകെ നീളം ≤200 മിമി NA NA
5.5 വർഗ്ഗം: എഡ്ജ്
ചിപ്സ്/ഇൻഡന്റുകൾ/വിള്ളലുകൾ/കറകൾ/മലിനീകരണം
-- ഒന്നുമില്ല ഒന്നുമില്ല NA
5.6 अंगिर का प्रिव� പോളിടൈപ്പ് ഏരിയകൾ -- ഒന്നുമില്ല വിസ്തീർണ്ണം ≤10% വിസ്തീർണ്ണം ≤30%
5.7 समान മുൻവശത്തെ അടയാളപ്പെടുത്തൽ -- ഒന്നുമില്ല ഒന്നുമില്ല ഒന്നുമില്ല
6. ബാക്ക് ക്വാളിറ്റി
6.1 വർഗ്ഗീകരണം ബാക്ക് ഫിനിഷ് -- സി-ഫേസ് എംപി സി-ഫേസ് എംപി സി-ഫേസ് എംപി
6.2 വർഗ്ഗീകരണം സ്ക്രാച്ച് mm NA NA NA
6.3 വർഗ്ഗീകരണം പിന്നിലെ വൈകല്യങ്ങളുടെ അരികുകൾ
ചിപ്പുകൾ/ഇൻഡന്റുകൾ
-- ഒന്നുമില്ല ഒന്നുമില്ല NA
6.4 വർഗ്ഗീകരണം പുറംഭാഗത്തിന്റെ പരുക്കൻത nm റാ≤5 റാ≤5 റാ≤5
6.5 വർഗ്ഗം: ബാക്ക് മാർക്കിംഗ് -- നോച്ച് നോച്ച് നോച്ച്
7. എഡ്ജ്
7.1 വർഗ്ഗം: എഡ്ജ് -- ചാംഫർ ചാംഫർ ചാംഫർ
8. പാക്കേജ്
8.1 വർഗ്ഗീകരണം പാക്കേജിംഗ് -- വാക്വം ക്ലീനർ ഉപയോഗിച്ച് എപ്പി-റെഡി
പാക്കേജിംഗ്
വാക്വം ക്ലീനർ ഉപയോഗിച്ച് എപ്പി-റെഡി
പാക്കേജിംഗ്
വാക്വം ക്ലീനർ ഉപയോഗിച്ച് എപ്പി-റെഡി
പാക്കേജിംഗ്
8.2 വർഗ്ഗീകരണം പാക്കേജിംഗ് -- മൾട്ടി-വേഫർ
കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ്
മൾട്ടി-വേഫർ
കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ്
മൾട്ടി-വേഫർ
കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ്

പോസ്റ്റ് സമയം: ഏപ്രിൽ-18-2023