2 ഇഞ്ച് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറുകൾ 6H അല്ലെങ്കിൽ 4H N-തരം അല്ലെങ്കിൽ സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ് SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ

ഹൃസ്വ വിവരണം:

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (Tankeblue SiC വേഫറുകൾ), കാർബോറണ്ടം എന്നും അറിയപ്പെടുന്നു, ഇത് SiC എന്ന രാസ സൂത്രവാക്യമുള്ള സിലിക്കണും കാർബണും അടങ്ങിയ ഒരു അർദ്ധചാലകമാണ്.ഉയർന്ന ഊഷ്മാവിലോ ഉയർന്ന വോൾട്ടേജിലോ പ്രവർത്തിക്കുന്ന അർദ്ധചാലക ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉപകരണങ്ങളിൽ SiC ഉപയോഗിക്കുന്നു, അല്ലെങ്കിൽ ഇവ രണ്ടും.SiC പ്രധാന എൽഇഡി ഘടകങ്ങളിലൊന്നാണ്, വളരുന്ന GaN ഉപകരണങ്ങൾക്ക് ഇത് ഒരു ജനപ്രിയ അടിവസ്ത്രമാണ്, കൂടാതെ ഇത് ഉയർന്ന താപനിലയിൽ താപം പരത്തുന്ന വസ്തുവായും വർത്തിക്കുന്നു. വൈദ്യുതി എൽ.ഇ.ഡി.

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

ശുപാർശ ചെയ്യുന്ന ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ

4H SiC വേഫർ N-തരം
വ്യാസം: 2 ഇഞ്ച് 50.8mm |4 ഇഞ്ച് 100mm |6 ഇഞ്ച് 150 മിമി
ഓറിയൻ്റേഷൻ: ഓഫ് ആക്സിസ് 4.0˚ നേരെ <1120> ± 0.5˚
പ്രതിരോധശേഷി: < 0.1 ohm.cm
പരുക്കൻത: സി-ഫേസ് CMP Ra <0.5nm, C-ഫേസ് ഒപ്റ്റിക്കൽ പോളിഷ് Ra <1 nm

4H SiC വേഫർ സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ്
വ്യാസം: 2 ഇഞ്ച് 50.8mm |4 ഇഞ്ച് 100mm |6 ഇഞ്ച് 150 മിമി
ഓറിയൻ്റേഷൻ: അക്ഷത്തിൽ {0001} ± 0.25˚
പ്രതിരോധശേഷി: >1E5 ohm.cm
പരുക്കൻത: സി-ഫേസ് CMP Ra <0.5nm, C-ഫേസ് ഒപ്റ്റിക്കൽ പോളിഷ് Ra <1 nm

1. 5G ഇൻഫ്രാസ്ട്രക്ചർ -- ആശയവിനിമയ വൈദ്യുതി വിതരണം.
കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ പവർ സപ്ലൈ എന്നത് സെർവർ, ബേസ് സ്റ്റേഷൻ ആശയവിനിമയത്തിനുള്ള ഊർജ്ജ അടിത്തറയാണ്.ആശയവിനിമയ സംവിധാനത്തിൻ്റെ സാധാരണ പ്രവർത്തനം ഉറപ്പാക്കുന്നതിന് വിവിധ ട്രാൻസ്മിഷൻ ഉപകരണങ്ങൾക്ക് ഇത് വൈദ്യുതോർജ്ജം നൽകുന്നു.

2. പുതിയ ഊർജ്ജ വാഹനങ്ങളുടെ ചാർജ്ജിംഗ് പൈൽ -- ചാർജിംഗ് പൈലിൻ്റെ പവർ മൊഡ്യൂൾ.
ചാർജിംഗ് പൈൽ പവർ മൊഡ്യൂളിൽ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് ഉപയോഗിച്ച് ചാർജിംഗ് പൈൽ പവർ മൊഡ്യൂളിൻ്റെ ഉയർന്ന കാര്യക്ഷമതയും ഉയർന്ന ശക്തിയും മനസ്സിലാക്കാൻ കഴിയും, അങ്ങനെ ചാർജിംഗ് വേഗത മെച്ചപ്പെടുത്താനും ചാർജിംഗ് ചെലവ് കുറയ്ക്കാനും കഴിയും.

3. ബിഗ് ഡാറ്റ സെൻ്റർ, ഇൻഡസ്ട്രിയൽ ഇൻ്റർനെറ്റ് -- സെർവർ പവർ സപ്ലൈ.
സെർവർ പവർ സപ്ലൈ എന്നത് സെർവർ എനർജി ലൈബ്രറിയാണ്.സെർവർ സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ സാധാരണ പ്രവർത്തനം ഉറപ്പാക്കാൻ സെർവർ പവർ നൽകുന്നു.സെർവർ പവർ സപ്ലൈയിലെ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പവർ ഘടകങ്ങളുടെ ഉപയോഗം സെർവർ പവർ സപ്ലൈയുടെ പവർ ഡെൻസിറ്റിയും കാര്യക്ഷമതയും മെച്ചപ്പെടുത്താനും ഡാറ്റാ സെൻ്ററിൻ്റെ മൊത്തത്തിലുള്ള വോളിയം കുറയ്ക്കാനും ഡാറ്റാ സെൻ്ററിൻ്റെ മൊത്തത്തിലുള്ള നിർമ്മാണ ചെലവ് കുറയ്ക്കാനും ഉയർന്ന പാരിസ്ഥിതിക നേട്ടം കൈവരിക്കാനും കഴിയും. കാര്യക്ഷമത.

4. Uhv - ഫ്ലെക്സിബിൾ ട്രാൻസ്മിഷൻ ഡിസി സർക്യൂട്ട് ബ്രേക്കറുകളുടെ പ്രയോഗം.

5. ഇൻ്റർസിറ്റി ഹൈ-സ്പീഡ് റെയിൽ, ഇൻ്റർസിറ്റി റെയിൽ ട്രാൻസിറ്റ് -- ട്രാക്ഷൻ കൺവെർട്ടറുകൾ, പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ട്രാൻസ്ഫോർമറുകൾ, ഓക്സിലറി കൺവെർട്ടറുകൾ, ഓക്സിലറി പവർ സപ്ലൈസ്.

പരാമീറ്റർ

പ്രോപ്പർട്ടികൾ	യൂണിറ്റ്	സിലിക്കൺ	SiC	GaN
ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് വീതി	eV	1.12	3.26	3.41
ബ്രേക്ക്ഡൗൺ ഫീൽഡ്	എംവി/സെ.മീ	0.23	2.2	3.3
ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റി	cm^2/Vs	1400	950	1500
ഡ്രിഫ്റ്റ് വാലോസിറ്റി	10^7 സെ.മീ/സെ	1	2.7	2.5
താപ ചാലകത	W/cmK	1.5	3.8	1.3