വാർത്ത
-
LiTaO3 വേഫർ PIC — ഓൺ-ചിപ്പ് നോൺ-ലീനിയർ ഫോട്ടോണിക്സിനുള്ള ലോ-ലോസ് ലിഥിയം ടാൻ്റലേറ്റ്-ഓൺ-ഇൻസുലേറ്റർ വേവ്ഗൈഡ്
സംഗ്രഹം: 0.28 dB/cm നഷ്‌ടവും 1.1 ദശലക്ഷം റിംഗ് റെസൊണേറ്റർ ഗുണമേന്മയും ഉള്ള 1550 nm ഇൻസുലേറ്റർ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള ലിഥിയം ടാൻ്റലേറ്റ് വേവ്ഗൈഡ് ഞങ്ങൾ വികസിപ്പിച്ചെടുത്തു. നോൺ-ലീനിയർ ഫോട്ടോണിക്സിൽ χ(3) നോൺലീനിയാരിറ്റിയുടെ പ്രയോഗം പഠിച്ചു. The advantages of lithium niobate...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
XKH- നോളജ് ഷെയറിംഗ്- എന്താണ് വേഫർ ഡൈസിംഗ് ടെക്നോളജി?
അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണ പ്രക്രിയയിലെ ഒരു നിർണായക ഘട്ടമെന്ന നിലയിൽ വേഫർ ഡൈസിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യ, ചിപ്പ് പ്രകടനം, വിളവ്, ഉൽപ്പാദനച്ചെലവ് എന്നിവയുമായി നേരിട്ട് ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു. #01 Background and Significance of Wafer Dicing 1.1 Definition of Wafer Dicing Wafer dicing (also known as scri...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
തിൻ-ഫിലിം ലിഥിയം ടാൻ്റലേറ്റ് (LTOI): ഹൈ-സ്പീഡ് മോഡുലേറ്ററുകൾക്കുള്ള അടുത്ത സ്റ്റാർ മെറ്റീരിയൽ?
കൂടുതൽ വായിക്കുക -
വേഫർ നിർമ്മാണത്തിലെ SPC സിസ്റ്റത്തെക്കുറിച്ചുള്ള ആഴത്തിലുള്ള ധാരണ
കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എന്തുകൊണ്ടാണ് ഒരു വേഫർ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിൽ എപ്പിറ്റാക്സി നടത്തുന്നത്?
കൂടുതൽ വായിക്കുക -
വേഫർ വൃത്തിയാക്കുന്നതിനുള്ള തത്വങ്ങൾ, പ്രക്രിയകൾ, രീതികൾ, ഉപകരണങ്ങൾ
Wet cleaning (Wet Clean) is one of the critical steps in semiconductor manufacturing processes, aimed at removing various contaminants from the surface of the wafer to ensure that subsequent process steps can be performed on a clean surface. ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
കൂടുതൽ വായിക്കുക
-
TGV-യെക്കാൾ ത്രൂ ഗ്ലാസ് വഴി (TGV), ത്രൂ സിലിക്കൺ വഴി (TSV) പ്രക്രിയകളുടെ ഗുണങ്ങൾ പ്രധാനമായും ഇവയാണ്: (1) മികച്ച ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള വൈദ്യുത സവിശേഷതകൾ. Glass material is an insulator material, the dielectric constant is only about 1/3 of that of silicon material, and the loss factor is 2-...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
കൂടുതൽ വായിക്കുക
-
അലൂമിനയുടെ ഒരൊറ്റ ക്രിസ്റ്റലാണ് നീലക്കല്ല്, ത്രികക്ഷി ക്രിസ്റ്റൽ സിസ്റ്റത്തിൽ പെടുന്നു, ഷഡ്ഭുജ ഘടന, അതിൻ്റെ ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന മൂന്ന് ഓക്സിജൻ ആറ്റങ്ങളും രണ്ട് അലൂമിനിയം ആറ്റങ്ങളും ചേർന്നതാണ്, കോവാലൻ്റ് ബോണ്ട് തരത്തിൽ, ശക്തമായ ബോണ്ടിംഗ് ചെയിൻ, ലാറ്റിസ് ഊർജ്ജം എന്നിവ ഉപയോഗിച്ച് വളരെ അടുത്ത് ക്രമീകരിച്ചിരിക്കുന്നു. ക്രിസ്റ്റൽ ഇൻ്റെ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
SiC silicon carbide device refers to the device made of silicon carbide as the raw material. According to the different resistance properties, it is divided into conductive silicon carbide power devices and semi-insulated silicon carbide RF devices. പ്രധാന ഉപകരണ ഫോമുകളും...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
കൂടുതൽ വായിക്കുക