5G/6G ആശയവിനിമയ സംവിധാനങ്ങൾക്കായുള്ള Mg-ഡോപ്പഡ് LiNbO₃ഇങ്കോട്ടുകൾ 45°Z-കട്ട് 64°Y-കട്ട് ഓറിയന്റേഷനുകൾ

ഹൃസ്വ വിവരണം:

നൂതന ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക്‌സിലും ക്വാണ്ടം സാങ്കേതികവിദ്യകളിലും ഒരു മൂലക്കല്ല് വസ്തുവാണ് LiNbO3 ഇങ്കോട്ട് (ലിഥിയം നിയോബേറ്റ് ക്രിസ്റ്റൽ ഇങ്കോട്ട്). അസാധാരണമായ ഇലക്ട്രോ-ഒപ്റ്റിക് ഗുണകങ്ങൾ (γ₃₃= 30.9 pm/V), വിശാലമായ സുതാര്യത ശ്രേണി (400–5,200 nm), ഉയർന്ന ക്യൂറി താപനില (1210°C) എന്നിവയ്ക്ക് പേരുകേട്ടതാണ്. പരമ്പരാഗത സിലിക്കൺ അധിഷ്ഠിത വസ്തുക്കളിൽ നിന്ന് വ്യത്യസ്തമായി, LiNbO3 ഇങ്കോട്ടുകൾ ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി സിഗ്നൽ പ്രോസസ്സിംഗും വലിയ അപ്പർച്ചർ വേവ്ഗൈഡ് നിർമ്മാണവും പ്രാപ്തമാക്കുന്നു, ഇത് 5G/6G ആശയവിനിമയങ്ങൾ, ക്വാണ്ടം ഫോട്ടോണിക്‌സ്, വ്യാവസായിക സെൻസിംഗ് എന്നിവയ്ക്ക് അവ ഒഴിച്ചുകൂടാനാവാത്തതാക്കുന്നു. വൈവിധ്യമാർന്ന സംയോജനത്തിലെയും (ഉദാ. Si-അധിഷ്ഠിത സംയുക്ത വേഫറുകൾ) വൈകല്യ ലഘൂകരണത്തിലെയും (ഉദാ. Mg ഡോപ്പിംഗ്) സമീപകാല പുരോഗതികൾ ഉയർന്ന താപനില (> 400°C) സെൻസറുകൾ, റേഡിയേഷൻ-ഹാർഡൻഡ് എയ്‌റോസ്‌പേസ് സിസ്റ്റങ്ങൾ എന്നിവ പോലുള്ള അങ്ങേയറ്റത്തെ പരിതസ്ഥിതികളിൽ അതിന്റെ പ്രയോഗക്ഷമത കൂടുതൽ വികസിപ്പിച്ചു.

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക

ഫീച്ചറുകൾ

സാങ്കേതിക പാരാമീറ്ററുകൾ

സ്ഫടിക ഘടന	ഷഡ്ഭുജാകൃതിയിലുള്ള
ലാറ്റിസ് കോൺസ്റ്റന്റ്	a = 5.154 Å c = 13.783 Å
Mp	1650 ഡിഗ്രി സെൽഷ്യസ്
സാന്ദ്രത	7.45 ഗ്രാം / സെ.മീ3
ക്യൂറി താപനില	610 ഒ സി
കാഠിന്യം	5.5 - 6 മോഹ്സ്
താപ വികാസ ഗുണകം	aa = 1.61 x 10 -6 / k ac = 4.1 x 10 -6 / k
പ്രതിരോധശേഷി	1015 വാട്ട്മീറ്റർ
പെർമിറ്റിവിറ്റി	es11 / e0: 39 ~ 43 es33 / e0: 42 ~ 43 et11 / e0: 51 ~ 54 et11 / e0: 43 ~ 46
നിറം	നിറമില്ലാത്തത്
ഒരു ശ്രേണിയിലൂടെ	0.4 ~ 5.0 ഉം
അപവർത്തന സൂചിക	no = 2.176 ne = 2.180 @ 633 nm

പ്രധാന സാങ്കേതിക സവിശേഷതകൾ

LiNbO3 ഇങ്കോട്ട് മികച്ച ഗുണങ്ങളുടെ ഒരു കൂട്ടം പ്രദർശിപ്പിക്കുന്നു:

1. ഇലക്ട്രോ-ഒപ്റ്റിക് പ്രകടനം:

ഉയർന്ന നോൺലീനിയർ ഗുണകം: d₃₃= 34.4 pm/V, ട്യൂണബിൾ ഇൻഫ്രാറെഡ് സ്രോതസ്സുകൾക്കായി കാര്യക്ഷമമായ രണ്ടാം ഹാർമോണിക് ജനറേഷനും (SHG) ഒപ്റ്റിക്കൽ പാരാമെട്രിക് ആന്ദോളനവും (OPO) പ്രാപ്തമാക്കുന്നു.

ബ്രോഡ്‌ബാൻഡ് ട്രാൻസ്മിഷൻ: ദൃശ്യ സ്പെക്ട്രത്തിലെ ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ ആഗിരണം (α < 0.1 dB/cm at 1550 nm), സി-ബാൻഡ് ഒപ്റ്റിക്കൽ ആംപ്ലിഫയറുകൾക്കും ക്വാണ്ടം ഫ്രീക്വൻസി പരിവർത്തനത്തിനും നിർണായകമാണ്.

2. മെക്കാനിക്കൽ & താപ ദൃഢത:

കുറഞ്ഞ താപ വികാസം: CTE = 14.4×10⁻⁶/K (a-axis), ഹൈബ്രിഡ് ഫോട്ടോണിക് സർക്യൂട്ടുകളിലെ സിലിക്കൺ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളുമായി അനുയോജ്യത ഉറപ്പാക്കുന്നു.

ഉയർന്ന പീസോഇലക്ട്രിക് പ്രതികരണം: g₃₃> 20 mV/m, 5G mmWave സിസ്റ്റങ്ങളിലെ സർഫേസ് അക്കോസ്റ്റിക് വേവ് (SAW) ഫിൽട്ടറുകൾക്ക് അനുയോജ്യം.

3. വൈകല്യ നിയന്ത്രണം:

മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത: <0.1 സെ.മീ⁻²(8-ഇഞ്ച് ഇൻഗോട്ടുകൾ), സിൻക്രോട്രോൺ എക്സ്-റേ ഡിഫ്രാക്ഷൻ വഴി സാധൂകരിക്കപ്പെട്ടു.

റേഡിയേഷൻ പ്രതിരോധം: 100 kV/cm വൈദ്യുത മണ്ഡലത്തിൽ താഴെയുള്ള ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ ലാറ്റിസ് വികലത, എയ്‌റോസ്‌പേസ്-ഗ്രേഡ് പരിശോധനയിൽ സാധൂകരിക്കപ്പെട്ടു.

തന്ത്രപരമായ പ്രയോഗങ്ങൾ

LiNbO3 Ingot നൂതന മേഖലകളിൽ നവീകരണത്തെ നയിക്കുന്നു:

1. ക്വാണ്ടം ഫോട്ടോണിക്സ്:

സിംഗിൾ-ഫോട്ടോൺ സ്രോതസ്സുകൾ: നോൺ-ലീനിയർ ഡൗൺ-കൺവേർഷൻ ഉപയോഗിച്ച്, ക്വാണ്ടം കീ ഡിസ്ട്രിബ്യൂഷൻ (QKD) സിസ്റ്റങ്ങൾക്കായി LiNbO3, ഇന്റംഗ്ലഡ് ഫോട്ടോൺ ജോഡി ജനറേഷൻ പ്രാപ്തമാക്കുന്നു.

ക്വാണ്ടം മെമ്മറി: എർ³⁺-ഡോപ്പഡ് ഫൈബറുകളുമായുള്ള സംയോജനം 1530 nm-ൽ 30% സംഭരണ കാര്യക്ഷമത കൈവരിക്കുന്നു, ഇത് ദീർഘദൂര ക്വാണ്ടം നെറ്റ്‌വർക്കുകൾക്ക് നിർണായകമാണ്.

2. ഒപ്റ്റോ ഇലക്ട്രോണിക് സിസ്റ്റങ്ങൾ:

ഹൈ-സ്പീഡ് മോഡുലേറ്ററുകൾ: X-cut LiNbO3 <1 dB ഇൻസേർഷൻ നഷ്ടത്തോടെ 40 GHz ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത് കൈവരിക്കുന്നു, 400G ഒപ്റ്റിക്കൽ ട്രാൻസ്‌സീവറുകളിൽ LiTaO3 നെ മറികടക്കുന്നു.

ലേസർ ഫ്രീക്വൻസി ഡബ്ലിംഗ്: Mg-ഡോപ്പിംഗ് ചെയ്ത LiNbO3 (6% പരിധി) ഫോട്ടോറിഫ്രാക്റ്റീവ് കേടുപാടുകൾ കുറയ്ക്കുന്നു, ഇത് LiDAR സിസ്റ്റങ്ങളിൽ സ്ഥിരതയുള്ള 1064 nm → 532 nm പരിവർത്തനം സാധ്യമാക്കുന്നു.

3. വ്യാവസായിക സെൻസിംഗ്:

ഉയർന്ന താപനില മർദ്ദ സെൻസറുകൾ: എണ്ണ/വാതക പൈപ്പ്‌ലൈൻ നിരീക്ഷണത്തിനായി പീസോ ഇലക്ട്രിക് റെസൊണൻസ് പ്രയോജനപ്പെടുത്തി 600°C-ൽ തുടർച്ചയായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു.

കറന്റ് ട്രാൻസ്‌ഫോർമറുകൾ: സ്മാർട്ട് ഗ്രിഡ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ Fe/Mg കോ-ഡോപ്പിംഗ് സംവേദനക്ഷമത (0.1% FS) വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു.

എക്സ്.കെ.എച്ച് സർവീസസ് & സൊല്യൂഷൻസ്

ഞങ്ങളുടെ LiNbO3 ഇൻഗോട്ട് സേവനങ്ങൾ സ്കേലബിളിറ്റിക്കും കൃത്യതയ്ക്കും വേണ്ടി രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിട്ടുള്ളതാണ്:

1. ഇഷ്ടാനുസൃത നിർമ്മാണം:

വലുപ്പ ഓപ്ഷനുകൾ: X/Y/Z-കട്ട്, 42°Y-കട്ട് ജ്യാമിതികളുള്ള 3–8-ഇഞ്ച് ഇൻഗോട്ടുകൾ, ±0.01° കോണീയ സഹിഷ്ണുത.

ഡോപ്പിംഗ് നിയന്ത്രണം: ഫോട്ടോറിഫ്രാക്റ്റീവ് പ്രതിരോധം ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുന്നതിന് സോക്രാൽസ്കി രീതി (സാന്ദ്രത പരിധി 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) വഴി Fe/Mg കോ-ഡോപ്പിംഗ് നടത്തുന്നു.

2. വിപുലമായ പ്രോസസ്സിംഗ്:

വൈവിധ്യമാർന്ന സംയോജനം: ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി SAW ഫിൽട്ടറുകൾക്ക് 8.78 W/m·K വരെ താപ ചാലകതയുള്ള Si-LN കോമ്പോസിറ്റ് വേഫറുകൾ (300–600 nm കനം).

വേവ്ഗൈഡ് നിർമ്മാണം: പ്രോട്ടോൺ എക്സ്ചേഞ്ച് (PE), റിവേഴ്സ് പ്രോട്ടോൺ എക്സ്ചേഞ്ച് (RPE) ടെക്നിക്കുകൾ 40 GHz ഇലക്ട്രോ-ഒപ്റ്റിക് മോഡുലേറ്ററുകൾക്ക് സബ്മൈക്രോൺ വേവ്ഗൈഡുകൾ (Δn >0.7) നൽകുന്നു.

3. ഗുണനിലവാര ഉറപ്പ്:

എൻഡ്-ടു-എൻഡ് പരിശോധന: രാമൻ സ്പെക്ട്രോസ്കോപ്പി (പോളിടൈപ്പ് വെരിഫിക്കേഷൻ), XRD (ക്രിസ്റ്റലിനിറ്റി), AFM (സർഫസ് മോർഫോളജി) എന്നിവ MIL-PRF-4520J, JEDEC-033 എന്നിവയുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കുന്നു.

ഗ്ലോബൽ ലോജിസ്റ്റിക്സ്: ഏഷ്യ-പസഫിക്, യൂറോപ്പ്, വടക്കേ അമേരിക്ക എന്നിവിടങ്ങളിൽ താപനില നിയന്ത്രിത ഷിപ്പിംഗ് (±0.5°C), 48 മണിക്കൂർ അടിയന്തര ഡെലിവറി.

മത്സര നേട്ടങ്ങൾ

1. ചെലവ് കാര്യക്ഷമത: 4 ഇഞ്ച് ബദലുകളെ അപേക്ഷിച്ച് 8 ഇഞ്ച് ഇൻഗോട്ടുകൾ മെറ്റീരിയൽ മാലിന്യം 30% കുറയ്ക്കുന്നു, ഇത് യൂണിറ്റിന് 18% കുറയ്ക്കുന്നു.

2. പ്രകടന അളവുകൾ:

SAW ഫിൽട്ടർ ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത്: >1.28 GHz (LiTaO3-ന് 0.8 GHz-ന് പകരം), 5G mmWave ബാൻഡുകൾക്ക് നിർണായകം.

തെർമൽ സൈക്ലിംഗ്: <0.05% വാർ‌പേജോടെ -200–500°C സൈക്കിളുകളെ അതിജീവിക്കുന്നു, ഓട്ടോമോട്ടീവ് LiDAR പരിശോധനയിൽ സാധൂകരിക്കപ്പെട്ടു.

1. സുസ്ഥിരത: പുനരുപയോഗിക്കാവുന്ന സംസ്കരണ രീതികൾ ജല ഉപഭോഗം 40% ഉം ഊർജ്ജ ഉപയോഗം 25% ഉം കുറയ്ക്കുന്നു.

തീരുമാനം

LiNbO3 Ingot, അടുത്ത തലമുറയിലെ ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക്‌സിന്റെ തിരഞ്ഞെടുപ്പിന്റെ മെറ്റീരിയലായി തുടരുന്നു, അതുവഴി സമാനതകളില്ലാത്ത ഇലക്‌ട്രോ-ഒപ്‌റ്റിക് പ്രകടനവും വ്യാവസായിക-ഗ്രേഡ് വിശ്വാസ്യതയും സംയോജിക്കുന്നു. ക്വാണ്ടം കമ്പ്യൂട്ടിംഗ് മുതൽ 6G ആശയവിനിമയങ്ങൾ വരെ, അതിന്റെ വൈവിധ്യവും സ്കേലബിളിറ്റിയും ഭാവി സാങ്കേതികവിദ്യകളുടെ നിർണായക സഹായിയായി അതിനെ സ്ഥാപിക്കുന്നു. നിങ്ങളുടെ ആപ്ലിക്കേഷൻ ആവശ്യങ്ങൾക്കനുസൃതമായി രൂപകൽപ്പന ചെയ്‌തിരിക്കുന്ന കട്ടിംഗ്-എഡ്ജ് ഡോപ്പിംഗ്, വൈകല്യ ലഘൂകരണം, വൈവിധ്യമാർന്ന സംയോജന പരിഹാരങ്ങൾ എന്നിവ പ്രയോജനപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഞങ്ങളുമായി പങ്കാളിയാകുക.