6 ഇഞ്ച്-8 ഇഞ്ച് LN-ഓൺ-Si കോമ്പോസിറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് കനം 0.3-50 μm Si/SiC/സഫയർ ഓഫ് മെറ്റീരിയൽസ്

6 ഇഞ്ച് മുതൽ 8 ഇഞ്ച് വരെ വലിപ്പമുള്ള LN-on-Si കോമ്പോസിറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് അതിന്റെ അതുല്യമായ മെറ്റീരിയൽ ഗുണങ്ങളും ട്യൂണബിൾ പാരാമീറ്ററുകളും കൊണ്ട് വേർതിരിച്ചിരിക്കുന്നു, ഇത് സെമികണ്ടക്ടർ, ഒപ്‌റ്റോഇലക്‌ട്രോണിക് വ്യവസായങ്ങളിൽ വിശാലമായ പ്രയോഗക്ഷമത സാധ്യമാക്കുന്നു:

1.വലിയ വേഫർ അനുയോജ്യത: 6 ഇഞ്ച് മുതൽ 8 ഇഞ്ച് വരെ വേഫർ വലുപ്പം നിലവിലുള്ള സെമികണ്ടക്ടർ ഫാബ്രിക്കേഷൻ ലൈനുകളുമായി (ഉദാ, CMOS പ്രക്രിയകൾ) തടസ്സമില്ലാത്ത സംയോജനം ഉറപ്പാക്കുന്നു, ഉൽപ്പാദനച്ചെലവ് കുറയ്ക്കുകയും വൻതോതിലുള്ള ഉൽപ്പാദനം സാധ്യമാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

2. ഉയർന്ന ക്രിസ്റ്റലിൻ ഗുണനിലവാരം: ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്ത എപ്പിറ്റാക്സിയൽ അല്ലെങ്കിൽ ബോണ്ടിംഗ് ടെക്നിക്കുകൾ LN നേർത്ത ഫിലിമിൽ കുറഞ്ഞ വൈകല്യ സാന്ദ്രത ഉറപ്പാക്കുന്നു, ഇത് ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള ഒപ്റ്റിക്കൽ മോഡുലേറ്ററുകൾ, സർഫേസ് അക്കോസ്റ്റിക് വേവ് (SAW) ഫിൽട്ടറുകൾ, മറ്റ് കൃത്യതയുള്ള ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവയ്ക്ക് അനുയോജ്യമാക്കുന്നു.

3. ക്രമീകരിക്കാവുന്ന കനം (0.3–50 μm): അൾട്രാനേർത്ത LN പാളികൾ (<1 μm) സംയോജിത ഫോട്ടോണിക് ചിപ്പുകൾക്ക് അനുയോജ്യമാണ്, അതേസമയം കട്ടിയുള്ള പാളികൾ (10–50 μm) ഉയർന്ന പവർ RF ഉപകരണങ്ങളെയോ പീസോ ഇലക്ട്രിക് സെൻസറുകളെയോ പിന്തുണയ്ക്കുന്നു.

4. ഒന്നിലധികം സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ഓപ്ഷനുകൾ: Si-ക്ക് പുറമേ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി, ഉയർന്ന താപനില, അല്ലെങ്കിൽ ഉയർന്ന പവർ ആപ്ലിക്കേഷനുകളുടെ ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി SiC (ഉയർന്ന താപ ചാലകത) അല്ലെങ്കിൽ സഫയർ (ഉയർന്ന ഇൻസുലേഷൻ) എന്നിവ അടിസ്ഥാന വസ്തുക്കളായി തിരഞ്ഞെടുക്കാം.

5. താപ, മെക്കാനിക്കൽ സ്ഥിരത: സിലിക്കൺ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ശക്തമായ മെക്കാനിക്കൽ പിന്തുണ നൽകുന്നു, പ്രോസസ്സിംഗ് സമയത്ത് വളച്ചൊടിക്കലോ പൊട്ടലോ കുറയ്ക്കുകയും ഉപകരണ വിളവ് മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ചെയ്യുന്നു.

5G കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻസ്, LiDAR, ക്വാണ്ടം ഒപ്റ്റിക്സ് തുടങ്ങിയ അത്യാധുനിക സാങ്കേതികവിദ്യകൾക്ക് അനുയോജ്യമായ ഒരു മെറ്റീരിയലായി 6-ഇഞ്ച് മുതൽ 8-ഇഞ്ച് വരെ LN-on-Si കോമ്പോസിറ്റ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിനെ ഈ ആട്രിബ്യൂട്ടുകൾ സ്ഥാപിക്കുന്നു.