സഫയറിൽ 50.8mm 2 ഇഞ്ച് GaN എപ്പി-ലെയർ വേഫർ

ഗാലിയം നൈട്രൈഡിന്റെ പ്രകടനത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കി, ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ചിപ്പുകൾ പ്രധാനമായും ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി, കുറഞ്ഞ വോൾട്ടേജ് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് അനുയോജ്യമാണ്.

ഇത് ഇതിൽ പ്രതിഫലിക്കുന്നു:

1) ഉയർന്ന ബാൻഡ്‌ഗ്യാപ്പ്: ഉയർന്ന ബാൻഡ്‌ഗ്യാപ്പ് ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് ഉപകരണങ്ങളുടെ വോൾട്ടേജ് നില മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ഗാലിയം ആർസെനൈഡ് ഉപകരണങ്ങളേക്കാൾ ഉയർന്ന പവർ ഔട്ട്‌പുട്ട് ചെയ്യാൻ കഴിയുകയും ചെയ്യും, ഇത് 5G കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ ബേസ് സ്റ്റേഷനുകൾ, സൈനിക റഡാർ, മറ്റ് ഫീൽഡുകൾ എന്നിവയ്ക്ക് പ്രത്യേകിച്ചും അനുയോജ്യമാണ്;

2) ഉയർന്ന പരിവർത്തന കാര്യക്ഷമത: ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് സ്വിച്ചിംഗ് പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് സിലിക്കൺ ഉപകരണങ്ങളേക്കാൾ 3 ഓർഡറുകൾ കുറവാണ്, ഇത് ഓൺ-സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടം ഗണ്യമായി കുറയ്ക്കും;

3) ഉയർന്ന താപ ചാലകത: ഗാലിയം നൈട്രൈഡിന്റെ ഉയർന്ന താപ ചാലകത ഇതിന് മികച്ച താപ വിസർജ്ജന പ്രകടനം നൽകുന്നു, ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന താപനില, മറ്റ് ഉപകരണ മേഖലകൾ എന്നിവയുടെ ഉത്പാദനത്തിന് അനുയോജ്യമാണ്;

4) ബ്രേക്ക്ഡൗൺ ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡ് ശക്തി: ഗാലിയം നൈട്രൈഡിന്റെ ബ്രേക്ക്ഡൗൺ ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡ് ശക്തി സിലിക്കൺ നൈട്രൈഡിന് അടുത്താണെങ്കിലും, അർദ്ധചാലക പ്രക്രിയ, മെറ്റീരിയൽ ലാറ്റിസ് പൊരുത്തക്കേട്, മറ്റ് ഘടകങ്ങൾ എന്നിവ കാരണം, ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് ഉപകരണങ്ങളുടെ വോൾട്ടേജ് ടോളറൻസ് സാധാരണയായി ഏകദേശം 1000V ആണ്, സുരക്ഷിത ഉപയോഗ വോൾട്ടേജ് സാധാരണയായി 650V ൽ താഴെയാണ്.

* മറ്റ് കനം ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കാവുന്നതാണ്