സഫയർ എപ്പി-ലെയർ വേഫറിൽ 50.8mm 2inch GaN

ഗാലിയം നൈട്രൈഡിൻ്റെ പ്രകടനത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കി, ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ചിപ്പുകൾ പ്രധാനമായും ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി, ലോ വോൾട്ടേജ് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് അനുയോജ്യമാണ്.

ഇത് ഇതിൽ പ്രതിഫലിക്കുന്നു:

1) ഉയർന്ന ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ്: ഉയർന്ന ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് ഉപകരണങ്ങളുടെ വോൾട്ടേജ് ലെവൽ മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു, ഗാലിയം ആർസെനൈഡ് ഉപകരണങ്ങളേക്കാൾ ഉയർന്ന പവർ ഔട്ട്‌പുട്ട് ചെയ്യാൻ കഴിയും, ഇത് 5G കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ ബേസ് സ്റ്റേഷനുകൾക്കും സൈനിക റഡാറിനും മറ്റ് ഫീൽഡുകൾക്കും അനുയോജ്യമാണ്;

2) ഉയർന്ന പരിവർത്തന കാര്യക്ഷമത: ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് സ്വിച്ചിംഗ് പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളുടെ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ് സിലിക്കൺ ഉപകരണങ്ങളേക്കാൾ 3 ഓർഡറുകൾ കുറവാണ്, ഇത് ഓൺ-സ്വിച്ചിംഗ് നഷ്ടം ഗണ്യമായി കുറയ്ക്കും;

3) ഉയർന്ന താപ ചാലകത: ഗാലിയം നൈട്രൈഡിൻ്റെ ഉയർന്ന താപ ചാലകത അതിനെ മികച്ച താപ വിസർജ്ജന പ്രകടനമുള്ളതാക്കുന്നു, ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന താപനില, ഉപകരണങ്ങളുടെ മറ്റ് മേഖലകൾ എന്നിവയുടെ ഉത്പാദനത്തിന് അനുയോജ്യമാണ്;

4) ബ്രേക്ക്‌ഡൗൺ ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡ് ശക്തി: അർദ്ധചാലക പ്രക്രിയ, മെറ്റീരിയൽ ലാറ്റിസ് പൊരുത്തക്കേട്, മറ്റ് ഘടകങ്ങൾ എന്നിവ കാരണം ഗാലിയം നൈട്രൈഡിൻ്റെ തകർച്ച വൈദ്യുത ഫീൽഡ് ശക്തി സിലിക്കൺ നൈട്രൈഡിന് അടുത്താണെങ്കിലും ഗാലിയം നൈട്രൈഡ് ഉപകരണങ്ങളുടെ വോൾട്ടേജ് ടോളറൻസ് സാധാരണയായി 1000V ആണ്. സുരക്ഷിതമായ ഉപയോഗ വോൾട്ടേജ് സാധാരണയായി 650V ൽ താഴെയാണ്.

* മറ്റ് കനം ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കാം