4H-N 4 ഇഞ്ച് SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വേഫർ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പ്രൊഡക്ഷൻ ഡമ്മി റിസർച്ച് ഗ്രേഡ്

4 ഇഞ്ച് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വേഫർ വ്യാസം 4 ഇഞ്ച് (ഏകദേശം 101.6 മിമി), ഉപരിതല ഫിനിഷ് Ra < 0.5 nm വരെ, കനം 600±25 μm. വേഫറിന്റെ ചാലകത N തരം അല്ലെങ്കിൽ P തരം ആണ്, ഉപഭോക്തൃ ആവശ്യങ്ങൾക്കനുസരിച്ച് ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കാനും കഴിയും. കൂടാതെ, ചിപ്പിന് മികച്ച മെക്കാനിക്കൽ സ്ഥിരതയുണ്ട്, ഒരു നിശ്ചിത അളവിലുള്ള സമ്മർദ്ദവും വൈബ്രേഷനും നേരിടാൻ കഴിയും.

സെമികണ്ടക്ടർ, ഗവേഷണം, ഒപ്റ്റോ ഇലക്ട്രോണിക്സ് മേഖലകളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്ന ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള ഒരു മെറ്റീരിയലാണ് ഇഞ്ച് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വേഫർ. ഇതിന് മികച്ച താപ ചാലകത, മെക്കാനിക്കൽ സ്ഥിരത, ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം എന്നിവയുണ്ട്, ഇത് ഉയർന്ന പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ തയ്യാറാക്കുന്നതിനും പുതിയ വസ്തുക്കളുടെ ഗവേഷണത്തിനും അനുയോജ്യമാണ്. വൈവിധ്യമാർന്ന ഉപഭോക്തൃ ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി ഞങ്ങൾ വൈവിധ്യമാർന്ന സ്പെസിഫിക്കേഷനുകളും ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കൽ ഓപ്ഷനുകളും വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു. സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറുകളുടെ ഉൽപ്പന്ന വിവരങ്ങളെക്കുറിച്ച് കൂടുതലറിയാൻ ദയവായി ഞങ്ങളുടെ സ്വതന്ത്ര സൈറ്റ് ശ്രദ്ധിക്കുക.

പ്രധാന കൃതികൾ: സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറുകൾ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വേഫറുകൾ, 4 ഇഞ്ച്, താപ ചാലകത, മെക്കാനിക്കൽ സ്ഥിരത, ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം, പവർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ, ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകൾ, പവർ മൊഡ്യൂളുകൾ, എൽഇഡികൾ, ലേസർ ഡയോഡുകൾ, ഉപരിതല ഫിനിഷ്, ചാലകത, ഇഷ്ടാനുസൃത ഓപ്ഷനുകൾ