2 ഇഞ്ച് സിക് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് 6H-N ടൈപ്പ് 0.33mm 0.43mm ഡബിൾ-സൈഡഡ് പോളിഷിംഗ് ഉയർന്ന താപ ചാലകത കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗം

ഹൃസ്വ വിവരണം:

മികച്ച താപ ചാലകതയും രാസ സ്ഥിരതയുമുള്ള ഒരു വൈഡ് ബാൻഡ് ഗ്യാപ്പ് സെമികണ്ടക്ടർ വസ്തുവാണ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC).6എച്ച്-എൻഅതിന്റെ ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന ഷഡ്ഭുജാകൃതിയിലാണെന്ന് (6H) സൂചിപ്പിക്കുന്നു, കൂടാതെ "N" എന്നത് ഇത് ഒരു N-തരം അർദ്ധചാലക വസ്തുവാണെന്ന് സൂചിപ്പിക്കുന്നു, ഇത് സാധാരണയായി നൈട്രജൻ ഡോപ്പിംഗ് വഴി നേടുന്നു.
ഉയർന്ന മർദ്ദ പ്രതിരോധം, ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി പ്രകടനം തുടങ്ങിയ മികച്ച സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിനുണ്ട്. സിലിക്കൺ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, സിലിക്കൺ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തയ്യാറാക്കിയ ഉപകരണം നഷ്ടം 80% കുറയ്ക്കുകയും ഉപകരണ വലുപ്പം 90% കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യും. പുതിയ ഊർജ്ജ വാഹനങ്ങളുടെ കാര്യത്തിൽ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പുതിയ ഊർജ്ജ വാഹനങ്ങൾക്ക് ഭാരം കുറഞ്ഞതാക്കാനും നഷ്ടം കുറയ്ക്കാനും ഡ്രൈവിംഗ് ശ്രേണി വർദ്ധിപ്പിക്കാനും സഹായിക്കും; 5G ആശയവിനിമയ മേഖലയിൽ, അനുബന്ധ ഉപകരണങ്ങളുടെ നിർമ്മാണത്തിന് ഇത് ഉപയോഗിക്കാം; ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് വൈദ്യുതി ഉൽപാദനത്തിൽ പരിവർത്തന കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്താൻ കഴിയും; റെയിൽ ഗതാഗത മേഖലയ്ക്ക് അതിന്റെ ഉയർന്ന താപനിലയും ഉയർന്ന മർദ്ദ പ്രതിരോധ സവിശേഷതകളും ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയും.

ഞങ്ങൾക്ക് ഇമെയിൽ അയയ്ക്കുക

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

2 ഇഞ്ച് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറിന്റെ സവിശേഷതകൾ താഴെ പറയുന്നവയാണ്.

1. കാഠിന്യം: മോസ് കാഠിന്യം ഏകദേശം 9.2 ആണ്.
2. ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന: ഷഡ്ഭുജാകൃതിയിലുള്ള ലാറ്റിസ് ഘടന.
3. ഉയർന്ന താപ ചാലകത: SiC യുടെ താപ ചാലകത സിലിക്കണിനേക്കാൾ വളരെ കൂടുതലാണ്, ഇത് ഫലപ്രദമായ താപ വിസർജ്ജനത്തിന് സഹായകമാണ്.
4. വൈഡ് ബാൻഡ് വിടവ്: SiC യുടെ ബാൻഡ് വിടവ് ഏകദേശം 3.3eV ആണ്, ഉയർന്ന താപനില, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി, ഉയർന്ന പവർ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് അനുയോജ്യമാണ്.
5. ബ്രേക്ക്ഡൗൺ ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡും ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റിയും: ഉയർന്ന ബ്രേക്ക്ഡൗൺ ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡും ഇലക്ട്രോൺ മൊബിലിറ്റിയും, MOSFET-കൾ, IGBT-കൾ പോലുള്ള കാര്യക്ഷമമായ പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾക്ക് അനുയോജ്യം.
6. രാസ സ്ഥിരതയും വികിരണ പ്രതിരോധവും: ബഹിരാകാശം, ദേശീയ പ്രതിരോധം തുടങ്ങിയ കഠിനമായ ചുറ്റുപാടുകൾക്ക് അനുയോജ്യം. മികച്ച രാസ പ്രതിരോധം, ആസിഡ്, ക്ഷാരം, മറ്റ് രാസ ലായകങ്ങൾ.
7. ഉയർന്ന മെക്കാനിക്കൽ ശക്തി: ഉയർന്ന താപനിലയിലും ഉയർന്ന മർദ്ദത്തിലുമുള്ള അന്തരീക്ഷത്തിൽ മികച്ച മെക്കാനിക്കൽ ശക്തി.
അൾട്രാവയലറ്റ് ഫോട്ടോഡിറ്റക്ടറുകൾ, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് ഇൻവെർട്ടറുകൾ, ഇലക്ട്രിക് വാഹന പിസിയു മുതലായവ പോലുള്ള ഉയർന്ന പവർ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി, ഉയർന്ന താപനില ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ ഇത് വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയും.

2 ഇഞ്ച് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറിന് നിരവധി പ്രയോഗങ്ങളുണ്ട്.

1. പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ: ഉയർന്ന കാര്യക്ഷമതയുള്ള പവർ MOSFET, IGBT, മറ്റ് ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവ നിർമ്മിക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു, പവർ കൺവേർഷനിലും ഇലക്ട്രിക് വാഹനങ്ങളിലും വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.

2.Rf ഉപകരണങ്ങൾ: ആശയവിനിമയ ഉപകരണങ്ങളിൽ, ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ആംപ്ലിഫയറുകളിലും RF പവർ ആംപ്ലിഫയറുകളിലും SiC ഉപയോഗിക്കാം.

3. ഫോട്ടോഇലക്ട്രിക് ഉപകരണങ്ങൾ: SIC-അധിഷ്ഠിത എൽഇഡികൾ പോലുള്ളവ, പ്രത്യേകിച്ച് നീല, അൾട്രാവയലറ്റ് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ.

4. സെൻസറുകൾ: ഉയർന്ന താപനിലയും രാസ പ്രതിരോധവും ഉള്ളതിനാൽ, ഉയർന്ന താപനില സെൻസറുകളും മറ്റ് സെൻസർ ആപ്ലിക്കേഷനുകളും നിർമ്മിക്കാൻ SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ ഉപയോഗിക്കാം.

5.സൈനികവും ബഹിരാകാശവും: ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധവും ഉയർന്ന ശക്തി സവിശേഷതകളും കാരണം, അങ്ങേയറ്റത്തെ പരിതസ്ഥിതികളിൽ ഉപയോഗിക്കാൻ അനുയോജ്യമാണ്.

6H-N ടൈപ്പ് 2 "SIC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന്റെ പ്രധാന ആപ്ലിക്കേഷൻ ഫീൽഡുകളിൽ പുതിയ ഊർജ്ജ വാഹനങ്ങൾ, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ട്രാൻസ്മിഷൻ, ട്രാൻസ്‌ഫോർമേഷൻ സ്റ്റേഷനുകൾ, വൈറ്റ് ഗുഡ്‌സ്, അതിവേഗ ട്രെയിനുകൾ, മോട്ടോറുകൾ, ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്‌ക് ഇൻവെർട്ടർ, പൾസ് പവർ സപ്ലൈ തുടങ്ങിയവ ഉൾപ്പെടുന്നു.

ഉപഭോക്തൃ ആവശ്യങ്ങൾക്കനുസരിച്ച് വ്യത്യസ്ത കനം ഉപയോഗിച്ച് XKH ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കാൻ കഴിയും. വ്യത്യസ്ത ഉപരിതല പരുക്കനും പോളിഷിംഗ് ചികിത്സകളും ലഭ്യമാണ്. വ്യത്യസ്ത തരം ഡോപ്പിംഗ് (നൈട്രജൻ ഡോപ്പിംഗ് പോലുള്ളവ) പിന്തുണയ്ക്കുന്നു. ഇഷ്ടാനുസൃതമാക്കലിനെ ആശ്രയിച്ച് സ്റ്റാൻഡേർഡ് ഡെലിവറി സമയം 2-4 ആഴ്ചയാണ്. അടിവസ്ത്രത്തിന്റെ സുരക്ഷ ഉറപ്പാക്കാൻ ആന്റി-സ്റ്റാറ്റിക് പാക്കേജിംഗ് മെറ്റീരിയലുകളും ആന്റി-സീസ്മിക് ഫോമും ഉപയോഗിക്കുക. വിവിധ ഷിപ്പിംഗ് ഓപ്ഷനുകൾ ലഭ്യമാണ്, കൂടാതെ നൽകിയിരിക്കുന്ന ട്രാക്കിംഗ് നമ്പർ വഴി ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് ലോജിസ്റ്റിക്സിന്റെ നില തത്സമയം പരിശോധിക്കാൻ കഴിയും. ഉപയോഗ പ്രക്രിയയിലെ പ്രശ്നങ്ങൾ പരിഹരിക്കാൻ ഉപഭോക്താക്കൾക്ക് കഴിയുമെന്ന് ഉറപ്പാക്കാൻ സാങ്കേതിക പിന്തുണയും കൺസൾട്ടിംഗ് സേവനങ്ങളും നൽകുക.